Оборудование для «СКИФа» за 1,1 миллиарда изготовит томский НИИ
Институт катализа СО РАН заключил госконтракт на разработку, изготовление, монтаж, шефмонтаж, шефналадку оборудования экспериментальной станции «Структурная диагностика».
При определении состава и очередности появления экспериментальных станций мы в первую очередь идем за потребностями будущих пользователей. Так, одним из наиболее востребованных направлений синхротронных исследований можно назвать белковую кристаллографию. Благодаря этому методу получены структуры множества важных для фармакологии ферментов и рецепторов, что позволило разработать новые лекарственные средства. Мы ведем диалог с профильными научными группами, и уже сейчас они выражают готовность загрузить серьезными задачами одну из секций станции «Структурная диагностика». Это связано и с тем, что мы решаем вопрос системно: в составе лабораторного корпуса ЦКП «СКИФ» предусмотрена лаборатория кристаллизации белков, — рассказал директор Института катализа СО РАН, академик РАН Валерий Бухтияров.
Институт сильноточной электроники СО РАН решил взяться за амбициозную и новую для нас задачу создания экспериментальной станции для ЦКП «СКИФ», поскольку совмещает две роли: с одной стороны — высокомотивированного будущего пользователя, с другой — опытного разработчика научного оборудования. Пять лабораторий Института используют синхротронные методы для решения собственных исследовательских задач. Мы также участвуем в реализации проекта в рамках выполнения мероприятий Федеральной научно-технической программы развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры. То есть мы хорошо понимаем актуальность и возможности этих методов. В то же время у нас большой опыт создания уникального электрофизического, электронно-пучкового и плазменного оборудования: источников электронных пучков, лазерного излучения, мощных СВЧ-импульсов, генераторов газовой и металлической плазмы, которые поставляются как в российские организации, так и на экспорт, — прокомментировал директор Института сильноточной электроники СО РАН Илья Романченко.








