Почти 68 миллионов получит новосибирский институт на обновление приборной базы
67,9 млн руб. на обновление приборной базы получит из федерального бюджета новосибирский Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН. Об этом сообщил директор Александр Латышев.
- установка атомно-слоевого осаждения SI PEALD;
- система фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением ARPES FlexPS;
- единый комплекс оборудования для ближнепольной микроскопии и спектроскопии фирмы HORIBA;
- настольная установка лазерной безмасковой фотолитографии модели µMLA;
- криостат с криомагнитной системой TeslatronPT;
- установка Wafer Profiler для измерения концентраций легирующих примесей в полупроводниковых структурах;
- установка неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах;
- систему реконденсации жидкого гелия для работы криомагнитной системы по получению сверхнизких температур в сильных магнитных полях на базе гелиевого реконденсатора.







