67,9 млн руб. на обновление приборной базы получит из федерального бюджета новосибирский Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН. Об этом сообщил директор Александр Латышев.
По информации на сайте института, субсидия предоставляется организациям, выполняющим научные исследования и разработки, в рамках федерального проекта «Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров» нацпроекта «Наука и университеты». Как пишет ТАСС, ссылаясь на слова главы института, на эти деньги планируется приобрести специальное ультразвуковое оборудование для приваривания контактов микросхем, сенсоров, детекторов и др., создать химический центр для проведения экспериментов (стерильный бокс с вакуумной гигиеной), а также купить вычислительный блок для спецзадач с параллельным вычислением.
По словам замедиректора по научной работе ИФП Александра Милехина, с помощью этого оборудования можно будет проводить тестирование прототипов оптических устройств, проверять качество оптических покрытий, обнаруживать дефектные инструменты изделий. Это позволит улучшить качество исследований и полупроводниковых устройств, создаваемых в институте.
Справка:
За предыдущие несколько лет благодаря целевым субсидиям Минобрнауки России в ИФП СО РАН появилось новое оборудование:
- установка атомно-слоевого осаждения SI PEALD;
- система фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением ARPES FlexPS;
- единый комплекс оборудования для ближнепольной микроскопии и спектроскопии фирмы HORIBA;
- настольная установка лазерной безмасковой фотолитографии модели µMLA;
- криостат с криомагнитной системой TeslatronPT;
- установка Wafer Profiler для измерения концентраций легирующих примесей в полупроводниковых структурах;
- установка неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах;
- систему реконденсации жидкого гелия для работы криомагнитной системы по получению сверхнизких температур в сильных магнитных полях на базе гелиевого реконденсатора.